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| N.º art.: 6368-3368756 N.º fabricante: FDN86501LZ EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.089 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 2.6 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SuperSOT Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 1.5 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.9 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, FDN86501LZ, 3368756, 336-8756 |
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