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| N.º art.: 6368-3368843 N.º fabricante: HUF76629D3ST EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.041 ohm Gama de Producto UltraFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 20 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 150 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, HUF76629D3ST, 3368843, 336-8843 |
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