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| N.º art.:
6368-3368906 N.º fabricante:
NSVMUN5135DW1T1G EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Disipación de Potencia 385 mW Calificación AEC-Q101 Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Tensión Máx de Colector-Emisor PNP 50 V Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 2.2 kohm Resistencia Base-Emisor R2 47 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Polaridad de Transistor PNP Doble Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-363 Corriente de Colector Continua 100 mA Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE 80 hFE Tensión Máx Colecto-Emisor NPN - Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, bipolaires, Bipolares, Discretos, Numérique, Pré-polarisé, Semiconductores, Transistors, ONSEMI, NSVMUN5135DW1T1G, 3368906, 336-8906 |
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