N.º art.: 6368-3407105
N.º fabricante: RQ3E080BNTB
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.011 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 15 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor HSMT Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 14 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412100
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RQ3E080BNTB ,
3407105 ,
340-7105
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