N.º art.: 6368-3438409
N.º fabricante: IXTA76P10T
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.025 ohm Gama de Producto TrenchP Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 76 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-263AA Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 298 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (12-Jan-2017)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
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Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
IXYS SEMICONDUCTOR ,
IXTA76P10T ,
3438409 ,
343-8409
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