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| N.º art.: 6368-3438542 N.º fabricante: PMV100EPAR EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.1 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 2.2 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 710 mW Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, NEXPERIA, PMV100EPAR, 3438542, 343-8542 |
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