| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 6368-3439596 N.º fabricante: BAT54GWJ EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Sobrecorriente Directa 600 mA Gama de Producto - Número de Pines 2 Pines Configuración de Diodo Único Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Cresta de Tensión Inversa Recurrente 30 V Corriente Directa Promedio 200 mA Tensión Directa Máxima 800 mV Montaje de Diodo Montaje en superficie Tiempo de Recuperación Inversa - Calificación AEC-Q101 Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Encapsulado del Diodo SOD-123 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85411000 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Diodo de barrera Schottky, Diodos de barrera Schottky, diodos de barrera schottky, Diodes, Discretos, faibles, Schottky, Semiconductores, signaux, NEXPERIA, BAT54GWJ, 3439596, 343-9596 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |