NEXPERIA PSMN102-200Y,115 MOSFET, CANAL N, 200V, 21.5A, LFPAK56

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.086 ohm Gama de Producto TrenchMOS Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 21.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor LFPAK56 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 200 V Disipación de Potencia 113 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)