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| N.º art.:
6368-3440122 N.º fabricante:
PSMN7R6-100BSEJ EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0065 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 75 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 296 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, NEXPERIA, PSMN7R6-100BSEJ, 3440122, 344-0122 |
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