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ONSEMI NTH4L080N120SC1 MOSFET, CANAL N, 1.2KV, 29A, TO-247


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N.º art.:
     6368-3464005
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTH4L080N120SC1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.08 ohm Gama de Producto - Número de Pines 4 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 29 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-247 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 170 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.75 V
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, ONSEMI, NTH4L080N120SC1, 3464005, 346-4005
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