VISHAY SI4143DY-T1-GE3 MOSFET, CANAL P, 30V, 25.3A, 150°C, 6W

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0051 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 25.3 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOIC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 6 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised