N.º art.: 6368-3470729
N.º fabricante: SIHG80N60E-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.026 ohm Gama de Producto E Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 80 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-247AC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 520 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
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3470729 ,
347-0729
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