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| N.º art.: 6368-3514437 N.º fabricante: IQE006NE2LM5ATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 500 µohm Gama de Producto OptiMOS 5 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 298 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TSON Tensión Drenador-Fuente (Vds) 25 V Disipación de Potencia 89 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, INFINEON, IQE006NE2LM5ATMA1, 3514437, 351-4437 |
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