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| N.º art.: 6368-3516914 N.º fabricante: BSC0402NSATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0079 ohm Gama de Producto OptiMOS 5 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 80 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TDSON Tensión Drenador-Fuente (Vds) 150 V Disipación de Potencia 139 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.8 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, INFINEON, BSC0402NSATMA1, 3516914, 351-6914 |
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