N.º art.: 6368-3517210
N.º fabricante: SISS32ADN-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0061 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 63 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK 1212-8S Tensión Drenador-Fuente (Vds) 80 V Disipación de Potencia 65.7 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
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Transistor ,
transistor smd ,
Discretos ,
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SISS32ADN-T1-GE3 ,
3517210 ,
351-7210
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