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ONSEMI NTBG080N120SC1 MOSFET, CANAL N, 1.2KV, 30A, TO-263HV


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N.º art.:
     6368-3528496
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTBG080N120SC1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.08 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 7 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 30 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263HV (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 179 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, ONSEMI, NTBG080N120SC1, 3528496, 352-8496
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