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| N.º art.: 6368-3528514 N.º fabricante: NVBG080N120SC1 EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.08 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 7 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 30 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263HV (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 179 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, ONSEMI, NVBG080N120SC1, 3528514, 352-8514 |
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