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STARPOWER GD100HFX65C1S TRANSISTOR, MàDULO IGBT, 650V, 127A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6368-3549219
Fabricante:
     STARPOWER
N.º fabricante:
     GD100HFX65C1S
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Gama de Producto - Tensión Colector-Emisor Máx 650 V Encapsulado del Transistor Módulo Corriente de Colector Continua 127 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Terminación IGBT Perno Tensión de Saturación de Colector-Emisor 1.45 V Disipación de Potencia 319 W Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Tecnología IGBT Zanja/Limitador de Campo Montaje de Transistor Panel Configuración IGBT Medio Puente
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia, Transistores, Transistor, transistor igbt, Discretos, IGBT, Módulos, Semiconductores, STARPOWER, GD100HFX65C1S, 3549219, 354-9219
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