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STARPOWER GD150HFY120C8S TRANSISTOR, MàDULO IGBT, 1.2KV, 291A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6368-3549232
Fabricante:
     STARPOWER
N.º fabricante:
     GD150HFY120C8S
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Gama de Producto - Tensión Colector-Emisor Máx 1.2 kV Encapsulado del Transistor Módulo Corriente de Colector Continua 291 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Terminación IGBT Perno Tensión de Saturación de Colector-Emisor 1.7 V Disipación de Potencia 1.102 kW Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Tecnología IGBT Zanja/Limitador de Campo Montaje de Transistor Panel Configuración IGBT Medio Puente
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia, Transistores, Transistor, transistor igbt, Discretos, IGBT, Módulos, Semiconductores, STARPOWER, GD150HFY120C8S, 3549232, 354-9232
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