ROHM BSM180D12P3C007 SIC MOSFET, DOBLE CANAL N, 1.2KV, 180A

Tensión de Prueba Rds(on) - Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor - Gama de Producto - Número de Pines - Configuración de Módulo MOSFET Medio Puente Tipo de Canal Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id 180 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor Módulo Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 880 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5.6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)