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| N.º art.: 6368-3573225 N.º fabricante: BSM300D12P2E001 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) - Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor - Gama de Producto - Número de Pines - Configuración de Módulo MOSFET Medio Puente Tipo de Canal Canal N Doble Encapsulado del Transistor Module Corriente de Drenaje Continua Id 300 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 1.875 kW Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, ROHM, BSM300D12P2E001, 3573225, 357-3225 |
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