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INFINEON IMBG120R140M1HXTMA1 SIC MOSFET, CANAL N, 1.2KV/18A, TO-263-7


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N.º art.:
     6368-3582465
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IMBG120R140M1HXTMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.189 ohm Gama de Producto CoolSiC Trench Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 7 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 18 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 107 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, INFINEON, IMBG120R140M1HXTMA1, 3582465, 358-2465
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