| |
|
| N.º art.: 6368-3582475 N.º fabricante: IQE013N04LM6CGATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| | |
| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0011 ohm Gama de Producto OptiMOS Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 9 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 205 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TTFN Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 107 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| | |
| | | |
| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, INFINEON, IQE013N04LM6CGATMA1, 3582475, 358-2475 |
| | |
| |