|  |
| |
| N.º art.:
6368-3585618 N.º fabricante:
PMPB11R2VPX EAN/GTIN:
Sin datos |
| |
|
| | |
| Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0112 ohm Gama de Producto Trench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 9.7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor DFN2020M Tensión Drenador-Fuente (Vds) 12 V Disipación de Potencia 1.9 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 650 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Más información: | | Customs tariff number: | 85412100 |
|
| | |
| | | |
| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, NEXPERIA, PMPB11R2VPX, 3585618, 358-5618 |
| | |
| |