VISHAY SQJ211ELP-T1_GE3 MOSFET CANAL P, 100V, 33.6A, POWERPAK SO

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0242 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 33.6 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 68 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised