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GENESIC SEMICONDUCTOR G2R120MT33J MOSFET, CANAL N, 3.3KV, 35A, TO-263


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Información de productos

N.º art.:
     6368-3598634
Fabricante:
     Genesic Semiconductor
N.º fabricante:
     G2R120MT33J
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.12 ohm Gama de Producto G2R Número de Pines 7 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Corriente de Drenaje Continua Id 35 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 3.3 kV Disipación de Potencia 402 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Dec-2015)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, GENESIC SEMICONDUCTOR, G2R120MT33J, 3598634, 359-8634
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