ROHM R8002KND3TL1 MOSFET, CANAL N, 800V, 1.6A, TO-252

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 3.5 ohm Gama de Producto R8xxxKNx Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 1.6 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 800 V Disipación de Potencia 30 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)