N.º art.: 6368-3639760
N.º fabricante: RD3G07BATTL1
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0057 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 70 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 101 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
ROHM ,
RD3G07BATTL1 ,
3639760 ,
363-9760
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