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| N.º art.:
6368-3653156 N.º fabricante:
PMPB07R3ENX EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0073 ohm Gama de Producto Trench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 12 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor DFN2020M Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 1.9 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Más información: | | Customs tariff number: | 85412100 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, NEXPERIA, PMPB07R3ENX, 3653156, 365-3156 |
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