ONSEMI NTBL050N65S3H MOSFET, CANAL N, 650V, 49A, HPSOF

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0425 ohm Gama de Producto SUPERFET III Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 49 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor H-PSOF Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 305 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)