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| N.º art.: 6368-3677719 N.º fabricante: NTH4LN095N65S3H EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.077 ohm Gama de Producto SUPERFET III Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 30 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-247 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 208 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, NTH4LN095N65S3H, 3677719, 367-7719 |
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