N.º art.: 6368-3677860
N.º fabricante: SIHH080N60E-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.07 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 32 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 184 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
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Transistor ,
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SIHH080N60E-T1-GE3 ,
3677860 ,
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