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WEEN SEMICONDUCTORS WNSC08650T6J DIODO SCHOTTKY SIC, 650V, 8A, DFN


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6368-3703834
Fabricante:
     WeEn Semiconductors
N.º fabricante:
     WNSC08650T6J
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Diodos
Diodo
Diodo Schottky
Diodos Schottky
Configuración de Diodo Único Gama de Producto - Cresta de Tensión Inversa Recurrente 650 V Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Corriente Directa Promedio 8 A Montaje de Diodo Montaje en superficie Núm. de Pines 5 Pines Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Carga Capacitiva Total 13 nC Encapsulado del Diodo DFN
Más información:
Customs tariff number:
85411000
Otros conceptos de búsqueda: Diodo de barrera Schottky, Diodos de barrera Schottky, diodos de barrera schottky, Carbure, Diodes, Discretos, Schottky, Semiconductores, silicium, WEEN SEMICONDUCTORS, WNSC08650T6J, 3703834, 370-3834
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