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| N.º art.: 6368-3772757 N.º fabricante: SI4491EDY-T1-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0054 ohm Gama de Producto TrenchFET Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Encapsulado del Transistor SOIC Corriente de Drenaje Continua Id 25.8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 6.9 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.8 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SI4491EDY-T1-GE3, 3772757, 377-2757 |
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