VISHAY SI7858BDP-T1-GE3 MOSFET, N-CH, 12V, 40A, POWERPAK SO

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.002 ohm Gama de Producto TrenchFET Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Corriente de Drenaje Continua Id 40 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 12 V Disipación de Potencia 48 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised