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VISHAY SI7949DP-T1-GE3 MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 5A, SOIC


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-3772788
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI7949DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 5 A Gama de Producto Trench Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 5 A Tipo de Canal Canal P Disipación de Potencia Canal N 1.5 W Disipación de Potencia Canal P 1.5 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOIC Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, VISHAY, SI7949DP-T1-GE3, 3772788, 377-2788
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