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| N.º art.: 6368-3772789 N.º fabricante: SI7956DP-T1-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 150 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 2.6 A Gama de Producto Trench Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 150 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 2.6 A Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 1.4 W Disipación de Potencia Canal P 1.4 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, VISHAY, SI7956DP-T1-GE3, 3772789, 377-2789 |
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