VISHAY SI8429DB-T1-E1 MOSFET, P-CH, 8V, 10.2A, MICRO FOOT

Disipación de Potencia 2.77 W Calificación - Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.029 ohm Gama de Producto Trench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 10.2 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor MICRO FOOT Tensión Drenador-Fuente (Vds) 8 V Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 600 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised