N.º art.: 6368-3772798
N.º fabricante: SI8824EDB-T2-E1
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.06 ohm Gama de Producto Trench Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 2.9 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor MICRO FOOT Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 900 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 800 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
VISHAY ,
SI8824EDB-T2-E1 ,
3772798 ,
377-2798
Ofertas (2)
Plazo de entrega máx. 1 día máx. 3 días máx. 5 días máx. 10 días
Stock en almacén
Cantidad de pedido mín.
Envío
600
Envío gratuito
a partir de € 0,60*
€ 0,60*
Almacén 6368
1
€ 14,99*
a partir de € 0,625*
€ 2,73*
Precios: Almacén 6368
Cantidad de pedido
Neto
Bruto
Unidad
a partir de 30000 envases
1 envase contiene 5 unidades (a partir de € 0,125* por unidad)
Stock en almacén: Almacén 6368
Envío: Almacén 6368
Valor de pedido
Envío
a partir de € 0,00*
€ 14,99*
a partir de € 85,00*
Envío gratuito
Derechos de devolución para este artículo: Almacén 6368
Este artículo está excluido de cancelación, cambio o devolución. El plazo de garantía según las CGC persiste independientemente de los derechos de devolución indicados.
