N.º art.: 6368-3772836
N.º fabricante: SIRA18ADP-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.007 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Corriente de Drenaje Continua Id 30.6 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 14.7 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412900
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