N.º art.: 6368-3772845
N.º fabricante: SISS27ADN-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0042 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen III Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 50 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK 1212 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 57 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (10-Jun-2022)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
VISHAY ,
SISS27ADN-T1-GE3 ,
3772845 ,
377-2845
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