N.º art.: 6368-3772847
N.º fabricante: SISS27DN-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0046 ohm Gama de Producto TrenchFET Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Encapsulado del Transistor PowerPAK 1212 Corriente de Drenaje Continua Id 50 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 57 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
VISHAY ,
SISS27DN-T1-GE3 ,
3772847 ,
377-2847
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