VISHAY SQD23N06-31L_GE3 MOSFET, CANAL N, 60V, 23A, TO-252

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.024 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 23 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 37 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised