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| N.º art.: 6368-3772884 N.º fabricante: SQS484ENW-T1_GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0065 ohm Gama de Producto TrenchFET Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 16 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK 1212 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 62.5 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SQS484ENW-T1_GE3, 3772884, 377-2884 |
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