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| N.º art.: 6368-3784140 N.º fabricante: PSMN2R0-55YLHX EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00163 ohm Gama de Producto NextPower-S3 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 200 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor LFPAK56E Tensión Drenador-Fuente (Vds) 55 V Disipación de Potencia 333 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.62 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, NEXPERIA, PSMN2R0-55YLHX, 3784140, 378-4140 |
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