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| N.º art.: 6368-3798133 N.º fabricante: STB30N65DM6AG EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.102 ohm Gama de Producto MDmesh DM6 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 28 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 223 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, STMICROELECTRONICS, STB30N65DM6AG, 3798133, 379-8133 |
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