ROHM R6009ENXC7G MOSFET, CANAL N, 600V, 9A, TO-220FM

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.5 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 9 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220FM Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 48 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)