N.º art.: 6368-3816969
N.º fabricante: ISC045N03L5SATMA1
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0038 ohm Gama de Producto OptiMOS Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 63 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TDSON Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 30 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
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Transistors ,
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ISC045N03L5SATMA1 ,
3816969 ,
381-6969
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