| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 6368-3872541 N.º fabricante: TPH1R005PL,L1Q(M EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 800 µohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 150 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor SOP Tensión Drenador-Fuente (Vds) 45 V Disipación de Potencia 170 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, TOSHIBA, TPH1R005PL,L1Q(M, 3872541, 387-2541 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |