|  |
| |
| N.º art.:
6368-3879329 N.º fabricante:
SI2301CDS-T1-GE3 EAN/GTIN:
Sin datos |
| |
|
| | |
| Tensión de Prueba Rds(on) 2.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.142 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 3.1 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-236 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 860 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 400 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| | |
| | | |
| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SI2301CDS-T1-GE3, 3879329, 387-9329 |
| | |
| | Resumen de condiciones1 | | | | Plazo de entrega | Stock en almacén | Precio | | | | | | |  En stock |
| a partir de € 0,0986* | | | | Precio válido a partir de 1.500.000 unidades | | | | | | Pedidos sólo en múltiplos de 3.000 unidades | | | | | Ver más almacenes con otras condiciones | | | | | | | | Precios escalonados | | Cantidad de pedido | Neto | Bruto | Unidad | | a partir de 3000 unidades | | | | a partir de 6000 unidades | | | | a partir de 9000 unidades | | | | a partir de 15000 unidades | | | | a partir de 30000 unidades | | | | a partir de 1500000 unidades | | | |
|
| | |
|
|